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EverSpin公司是设计、制造分立式和嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移力矩 MRAM (STT-MRAM) 并向需要数据持久性和应用的市场和应用进行商业运输的全球领导者。Everspin 在磁存储器设计、制造和交付相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin 拥有 600 多项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结 (MTJ) STT-MRAM 位单元的开发方面处于市场领先地位。2014 年，Everspin 与 GLOBALFOUNDRIES 合作，在包括 40nm、28nm 及更高节点在内的先进技术节点上，实现面内和垂直 MTJ ST-MRAM 的全交钥匙 300mm 大批量生产。此外，Everspin 生产基于 180nm、130nm 和 90nm 工艺技术节点的 MRAM 产品...

EverSpin公司概况：
  • 领先的磁阻随机存取存储器 (MRAM) 持久性存储器解决方案开发商和制造商。
  • 发布的 EMxxLX 技术 STT-MRAM 产品是目前性能最高的持久内存。
  • Everspin MRAM IP 和技术在战略抗辐射和太空应用中的应用已超过 10 年。
  • Everspin 在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品
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